EE杂记整理

电容

聚丙烯电容 负温度系数 高电流场合使用钽电容务必要十分注意 聚丙乙烯 特氟龙 电介质较佳 薄膜电容损耗因子<0.1% ! 无论快速or慢速电路，电介质吸收现象均可能破坏其动态性能

电阻

• 电阻温度系数严格匹配
• 使用热阻低的电阻（较高的额定功率，较大的外壳）
• 紧密热耦合匹配电阻（使用标准电阻网络LT5400等，or单个封装的多个电阻）
• 对于大比值场景，考虑使用步进式衰减器

电阻的寄生效应

非感性电阻：R < 10kOhm（约20uH电感）R > 10kOhm (约5pF分布电容) 金属膜电阻：明显的线间电容，高频时影响显著 碳膜电阻：高频时表现最佳

热电效应： 垂直安装的电阻受气流影响会带来显著的温度梯度，1℃可能产生42mV的误差，远大于精密运放的失调电压Eg：2.5mV/℃。Tips：镀锡铜引脚可使得EMF下降

电压，失效，老化 电压：沉积氧化物高值电阻 电压系数：1ppm/V - 200ppm/V ++ 失效（通常）： 碳膜电阻失效后短路 金属膜电阻失效后开路

老化：金属膜电阻在额定功率下老化一周4000-5000h后才能稳定。

MCU内ADC

手持万用表一般输入阻抗10M左右 但ADC输入阻抗一般几十k，故对信号源内阻影响较大（低的输入阻抗对IC而言可节省成本） MCU的ADC为CMOS工艺，对外等效为RC回路，故需要等待ADC内部电容充满电才能采样。 采样率，信号源内阻，采样时间。 * ADC通常加运放缓冲 * 信号源内阻较高时，尽量延长采样时间

PPTC

• 自恢复
• 热保护 注意耐压值

放大器

同相放大器：对输入信号的阻抗没有要求，对共模抑制要求高。 反相放大器：对输入信号的阻抗有要求，对共模抑制要求不高。

压摆率：SR = 功率带宽/(2*pai*Vpp)

PCB相关

UL-94 V0 V1 … V4(阻燃–>非阻燃)

FR-4 半固化片 Tg：玻璃态转化温度 Er：介电常数（影响高速信号阻抗，会增加寄生电容） 传输线：传输+回流 同轴线，平行双导线，微带线 3W：线间距>3倍信号线线宽 20H: 环路最小原则：曼哈顿路径

阴阳拼

应力：V-CUT > 邮票孔 > 铣刀 ！注意陶瓷器件应力风险（陶瓷件，MLCC） 差分线：间距 < 2倍线宽，长度差 < 5mil

开关与数字开关接口

一端对地的开关经过100R电阻，100k电阻上拉到VDD，对地的100nF电容作用： * 吸收噪声 * 清除开关触点腐蚀物

该图曲线拟合后可以近似为一条平行x轴的直线，那么此时就可认为ΔK = 0，那么此图中红色曲线的精度就可以表示为：±0.5mV

3. Figure2误差曲线图

该图需要进行分段表示：红色区域和黑色区域就可以使用Δb的形式表示，蓝色区域就需要结合Δk和Δb表示。那么红色和黑色区域为：±5uV，而蓝色区域为：±(23ppm + 2uV)